人工智能需求推动，叠加过去两年资本支出不足，内存市场正迎来前所未有的“超级周期”。

摩根士丹利在周四的报告中指出，存储将出现“前所未有”的供需失衡，内存的价格也水涨船高：

人工智能的快速发展将导致DRAM和HBM的供需失衡，预计2025年HBM的供应不足率为-11%，整个DRAM市场的供应不足率为-23%。特别是HBM的需求量将大幅增加，可能占总DRAM供应的30%。

由于DRAM供应不足，加之过去两年的资本支出不足，没有新的晶圆厂或大规模晶圆可用，这将为内存市场超级周期提供了动力。

内存的价格也将水涨船高，预计商品存储产品的价格将在2024年每季度以两位数速度上涨，2025年HBM的价格将更高，服务器DRAM和超高密度QLC固态硬盘将引领价格上涨。

进一步来看，在内存市场中的战略地位的公司SK海力士和三星市场份额将进一步增长：

将内存行业2024-25年的每股收益预测提高了24-82%，较最新的预期共识高出51-54%；

其中，SK海力士将独占鳌头，我们认为市场共识对其市场份额增长潜力低估了。预计其在2025年将占据HBM市场的最大份额，利润率也将大幅提高。

值得一提的是，客户的行为已经发生了变化，他们现在更加重视确保能够获得足够的内存供应，而不是仅仅关注价格。由于供应的不确定性，客户愿意为确保供应支付更高的价格。


三大内存厂加紧布局HBM

SK海力士公布了HBM发展路线图，该公司副总裁Kim Chun-hwan透露，计划在2024上半年量产HBM3e，并向客户交付8层堆叠样品，在6层堆栈HBM3e配置中，每层堆栈可提供1.2 TB/s的通信带宽，8层堆叠将进一步提升HBM内存的带宽。

Kim Chun-hwan表示，在不断升级的客户期望的推动下，存储行业正在面临激烈的生存竞争。随着制程工艺节点的缩小接近极限，存储器厂商越来越关注新一代存储架构和工艺，以给客户应用系统提供更高的性能。为此，SK海力士已经启动了HBM4的开发，计划于2025年提供样品，并于次年量产。

根据美光提供的信息，与前几代HBM相比，HBM4每层堆栈的理论峰值带宽将超过1.5 TB/s。为了实现这样的带宽，在保持合理功耗的同时，HBM4的目标是实现大约6GT/s的数据传输速率。

三星也有发展HBM4的时间表，计划于2025年提供样品，并于2026年量产。据三星高管Jaejune Kim透露，该公司HBM产量的一半以上是定制化产品，未来，定制HBM方案的市场规模将进一步扩大。通过逻辑集成，量身定制的HBM对于满足客户个性化需求至关重要。

三星和SK海力士之间的竞争正在升温。

一些市场观察人士表示，三星在HBM芯片开发方面落后于SK海力士，为了在新接口标准CXL开发中占据优势地位，三星加快了技术研发和产品布局。

SK海力士表示，计划加大对高带宽内存和DDR5芯片的投资，以适应人工智能市场的增长需求。“与2023年相比，2024年的资本支出将有所增加。……我们将最大限度地提升资金利用效率”，SK海力士副总裁兼首席财务官金宇贤表示：“在2023年投资金额的范围内，我们根据产品优先顺序调整了资本支出，2024年，我们将更多地关注转换制程工艺，而不只是增加产能。”

金宇贤表示，SK海力士将努力扩大第四代和第五代10nm级制程内存芯片的比例，到2024年底，这些新品将占据该公司DRAM产量的一半以上。不过，他表示，要达到2022年第四季度的产能水平，还需要相当长时间。

SK海力士对引领HBM市场充满信心，预测未来5年的年均增长率将达到60%~80%。该公司DRAM营销主管Park Myung-soo表示：“我们2024年的HBM3和HBM3e芯片产能已经售罄。根据客户和市场观察人士的说法，我们的HBM3产能份额非常高。”

据TrendForce统计，2023年第三季度，SK海力士挤下三星电子，成为全球最大的服务器DRAM厂商。报告显示，2023年第三季度，SK海力士服务器DRAM销售额达到18.5亿美元，拿下49.6%的市场份额，稳居全球龙头宝座，排名第二的三星电子，在该季度的服务器DRAM销售额为13.13亿美元，市占率为35.2%，同期内，美光的服务器DRAM销售额为5.6亿美元，市占率为15.0%，排名第三。

需要指出是，以上统计数字仅是传统服务器搭载的DDR5内存，不包括用于AI服务器的HBM，若将HBM销售计算在内，SK海力士领先三星电子的幅度会更大。

就整体DRAM模块市场而言，三星电子仍稳居DRAM霸主地位，但SK海力士正在急起直追。美光排名第三，市占率为21.5%。

排名内存行业第三位的美光也在加紧布局AI服务器市场，该公司计划在2024年第一季度量产HBM3e，以抢攻英伟达的超级计算机DGX GH200商机。美光技术开发事业部资深副总裁Naga Chandrasekaran表示，采用EUV技术量产的1-gamma制程产品，正在研发过程中，预计于2025年量产。

业界人士指出，在HBM产品开发方面，虽然美光落后三星和SK海力士近一年时间，但在新一代HBM3e产品开发和量产进度方面，该公司加快了节奏，有望在HBM竞赛中扳回一城。


国产厂商谁将受益于AI浪潮？

目前，除华虹半导体（1347.HK）等少数晶圆厂商，国内存储产业链厂商江波龙（301308.SZ）、佰维存储（688525.SH）、朗科科技等均以从事封装、测试等中下游环节为主。因此，对于此类中下游厂商而言，吴雅婷告诉记者，如若没有吃到前期囤货红利，当原厂持续涨价，势必会带来压力。

上述朗科科技证券部人士称，晶圆厂是公司的成本端，对于公司而言，晶圆厂涨价成本会增加，但是当传导到下游时，可能终端售价也会增加，重点在于两边涨幅的对比。“因此晶圆厂涨价对于我们的影响是不一定的，如果下游的需求好可能成本都能转移过去，但是如果需求不好，我们就涨不了这么多。”

“下游的价格是市场博弈的结果，我们无法预判。”德明利（001309.SZ）证券部工作人员表示道。在此情况下，国内大多产业链厂商能否能在本次价格上行中的获益、获益幅度大小，仍在博弈中。

此外，今年AI手机、AI PC等AI终端产品开始推向市场，市场对于AI对存储产品的促进颇具期待。

不过，上述朗科科技工作人员表示，AI手机与普通手机的差别主要集中在内置NPU，除了集成在NPU处理器内的存储器，对于其他类型处理器的需求增幅并不大。

同时，尽管AI手机带来增长动能，根据Counterpoint Research预测，2024年全球智能手机出货量预计将增长3%，幅度难跟上存储涨价速度。

吴雅婷表示，在存储产业链中，受益于AI需求爆发最大的环节还是主要应用于服务器中的HBM。然而，国内在这一领域与国际头部厂商仍存在显著差距，需要进一步的技术提升和市场拓展。

目前，全球HBM市场几乎被SK海力士、三星和美光三家垄断。根据yole数据显示,2023年SK海力士市占率约为53%、三星市占率约为38%、美光科技市占率约为9%。

不过，国产HBM产业链已经有起势征兆。

今年年初，长江存储控股子公司、Pre-IPO企业武汉新芯发布了《高带宽存储芯粒先进封装技术研发和产线建设》招标项目，项目显示，公司会利用三维集成多晶圆堆叠技术，打造更高容量、更大带宽、更小功耗和更高生产效率的国产高带宽存储器(HBM)产品。拟新增设备16台套，拟实现月产出能力>3000片(12英寸)。

此外，A股的HBM相关标的主要集中在中下游。

亚威股份旗下韩国GSI公司拥有技术难度较高的存储芯片测试机业务，并稳定供货于海力士、安靠等行业龙头；佰维存储拟定增募资建设的晶圆级先进封测制造项目可以构建HBM实现的封装技术基础；国芯科技此前表示，已与合作伙伴一起正在基于先进工艺开展流片验证相关chiplet芯片高性能互联IP技术工作，和上下游合作厂家积极开展包括HBM技术在内的高端芯片封装合作；香农芯创曾表示，公司作为SK海力士分销商之一具有HBM代理资质。