根据全球市场研究机构TrendForce集邦咨询调查显示，2024年第一季DRAM产业主流产品合约价走扬、且涨幅较2023年第四季扩大，带动营收较前一季度成长5.1%，达183.5亿美元，推动多数业者营收延续季增趋势。

出货表现上，第一季三大原厂皆出现季减，反映产业淡季效应，加上下游业者的库存水平已垫高，采购量明显减弱。平均销售单价方面，三大原厂延续着2023年第四季合约价上涨氛围，再加上库存仍处于健康水位，故涨价意愿强烈。其中，中系手机销售畅旺，带动Mobile DRAM的价格涨幅领先所有应用，而Consumer DRAM的原厂库存仍待去化，导致价格涨幅居所有应用之末。

TrendForce集邦咨询指出，第二季即使消费性需求减少，原厂的出货位元数仍将反映季节效应而季增；价格方面，在地震后灾损状况尚未明确厘清期间，采购心态有所改变，PC OEMs始有零星成交价格开出，涨幅高于TrendForce集邦咨询预期，预估最终DRAM合约价将上涨13-18%。


行业巨头营收微涨 减产出货起效

自营收角度观察，Samsung的营收微幅增加至80.5亿美元，第一季增幅仅1.3%，营收市占小幅下滑1.6个百分点至43.9%，仍维持排名第一；售价季增约20%，抵消位元出货量的中个位数季减幅度，以价补量结构明显。

排名第二的SK hynix，第一季营收微幅增加至57.0亿美元，季增幅仅2.6%，营收市占小幅下滑0.7个百分点至31.1%；售价季增约20%，抵消位元出货量的中个位数季减幅度，结构与Samsung相同。

Micron第一季营收增加至39.5亿美元，季增幅达17.8%，营收市占上升2.3个百分点至21.5%，排名第三名；售价季增约23%、同时位元出货量仅季减4-5%，表现优于前两大同业，除本季价格策略较积极外，Server DRAM出货受惠于美系大客户订单，表现相对稳健。

第二季三大原厂预估的出货量将分别为：Samsung出货量成长低个位数至高个位数幅度、SK hynix季增中个位数的幅度、Micron小幅季减。

Nanya第一季在价格回升所带动的备货动能，以及Consumer DRAM终端销售动能回升较缓等需求消长影响下，第一季出货量为低个位数的季增幅度，ASP（平均销售单价）有高个位数的季增幅度，营收季增10.5%至3.02亿美元。

存储芯片有望迎来量价齐升

弘毅远方基金陈祥辉介绍，据IDC预测，全球AI计算市场规模将从2022年的195.0亿美元增长到2026年的346.6亿美元；中国智能算力规模与去年相比增加了41.4%，规模占比达22.8%，超过全球整体智能算力增速（25.7%）。

“AI服务器对DRAM的需求是普通服务器的8倍，NAND需求是普通服务器的3倍5。随着AI服务器出货量的增加，存储芯片市场将迎来量价齐升。”弘毅远方基金陈祥辉指出，高带宽存储器（HBM）技术因其高速数据传输能力，在AI服务器中得到广泛应用。预计未来几年，HBM技术的市场规模将持续增长。存算一体技术通过在存储器中嵌入计算能力，有效提升了数据效率，解决了传统冯诺依曼架构中的瓶颈问题。存储行业在AI算力的拉动下，将迎来新的增长周期。国内存储企业通过技术创新，有望在全球市场中占据一席之地。


有待提升的市场份额

存储芯片市场向好本是件好事儿，但中国存储芯片行业起步较晚，技术水平相对较低，导致国内市场几乎全部依赖进口。目前，国产存储芯片的自给率不足10%，甚至有报道称不足5%。然而，国内企业如兆易创新、长江存储等正在积极布局并逐步提升技术水平，初步形成竞争优势。

由于国内存储芯片技术限制，国内半导体存储器仍大量依赖进口，行业进口替代空间广阔。国内企业正在积极提高技术能力和产品水平，从存储模组产品、固件开发、主控芯片研发到存储晶圆生产，不断探索和发展，努力提高自主可控水平。

好在去年8月以来，DRAM、NAND Flash厂商开始减产挺价，存储芯片价格终于走出暴跌的阴霾。特别是闪存价格持续上涨，NAND指数由421.57开始反转，今年4月30日已经高达825.26，涨幅已经超过95.8%。

经过多年的发展，国产存储芯片巨头长江存储、长鑫存储、福建晋华等公司逐渐取得突破，并抢占了部分存储市场。

三家公司发展各有侧重，长江存储发力于“晶栈”技术，并在NAND领域实现长足的进展。长鑫存储则发力于DRAM，并已经推出多种DRAM芯片。福建晋华侧重于发展DRAM内存，未来有望快速恢复发展。

2月28日，福建晋华经过五年的艰苦博弈，在美国赢得美国司法部诉讼，成功摆脱了知识产权方面的无端指控。这对国产芯片具有重大意义，不仅显示我国科技类企业持续强化合法合规运营，也进一步向世人宣布中国芯片研究实力的提升。

国产替代两大核心赛道

存储芯片在集成电路市场中占据了四分之一以上的份额，并且与集成电路市场相比，存储芯片市场的周期性更加明显和剧烈。全球半导体存储器市场中，DRAM的占比高达56%，而NAND Flash则约占41%。

存储芯片产业链由多个环节组成，包括集成电路设计、晶圆制造、封装和测试以及模组厂商集成等。上游参与者主要是半导体材料供应商和半导体设备供应商，提供硅片、光刻胶、靶材、抛光材料、电子特种气体等半导体材料，以及光刻机、PVD、CVD、刻蚀设备、清洗设备、封测设备等半导体设备。

目前，无论是DRAM还是NAND Flash市场，都呈现出海外企业寡头垄断的格局。我国的大部分厂商仍在与国际龙头企业进行错位竞争，主要聚焦在利基型市场。

早期全球领先的企业如三星、海力士和美光通过大量资本投入进入了DRAM存储器领域，并逐步积累了显著的市场竞争优势。当前全球DRAM晶圆市场目前主要由这三家企业主导。

据Omdia数据显示，近十年来，以上三家DRAM晶圆原厂每年都需要投入数十亿美元用于固定资产投资，且这一趋势呈波动式增长。这充分表明，DRAM晶圆设计与制造行业有着相当高的资本门槛。

国内产业链布局厂商中，兆易创新和北京君正这两家企业都在布局DRAM和Flash市场。兆易创新是国内领先的半导体设计企业，其产品涵盖了存储器、微控制器和传感器。北京君正则于2020年收购了北京矽成100%的股权，其产品主要包括微处理器芯片、智能视频芯片、存储芯片和模拟与互联芯片。

此外，普冉股份是国内非易失性存储领域的领先芯片设计企业之一，其主要产品包括NOR Flash和EEPROM。普冉股份凭借其独特的SONOS工艺和40nm的领先制程，在中小容量领域具有突出的低功耗和高性价比优势。