下世代HBM4（第六代HBM）争霸战提前展开，台积电新任董事长魏哲家正式接任后，SK集团会长崔泰源和SK海力士社长郭鲁正6日搭乘专机闪电旋风来台，藉此强化AI半导体的竞争力，抢佔HBM4开发先机，依照规划，SK海力士预计将在2025年量产HBM4。
三大记忆体厂将开发重点聚焦于HBM市场大饼，根据NVIDIA规划，次世代Rubin GPU将採用8层堆叠HBM4，而Rubin Ultra GPU则会採12层堆叠HBM4，执行长黄仁勳日前也指出，Rubin R100 GPU预计2025年第4季量产，相关DGX和HGX超级运算解决方案预计2026年上半量产，Rubin GPU及相关平台将于2026年推出。
SK集团会长崔泰源专机闪电来台，与台积电新任董事长魏哲家会面，确立双方强化AI及半导体合作。SK集团
为了持续确保HBM领先地位，SK海力士已提前展开布局，预计2025年将导入量产HBM4，崔泰源亦在4月底前往美国硅谷，专程会见黄仁勳，更透过个人社群平台，上传两人的合影。
据指出，魏哲家正式接手兼任董事长暨总裁，台积电开启魏哲家全面执政时代，崔泰源和郭鲁正立即敲定专程前往台积电，以强化双方HBM4开发制程顺利，并讨论在AI及半导体领域的合作方案等，崔泰源与魏哲家也留下两人合影，SK集团高层来台仅短短数小时便闪电离开台湾，可见对于HBM4技术开发的高度重视。
此外，SK海力士2024年首度参展COMPUTEX，并在摊位展出最新HBM3E记忆体以及MR-MUF技术（Mass Re-flow Molded Underfill），据悉，SK海力士社长层级高层先后到达台湾，并前往COMPUTEX现场参观，掌握全球技术发展动向。
SK海力士于4月宣布与台积电签订技术合作合作备忘录，为了提高效能，从HBM4开始，SK海力士将採用台积电的先进制程工艺用于生产Base Die，透过在Base Die採用超细微工艺，将可以增加更多功能，并在效能和功效等方面，更能满足客户定制化（Customized）HBM产品的需求。
同时，2家公司也决定将优化SK海力士的HBM和台积电的CoWoS技术结合，以共同应对HBM相关顾客的要求。
SK海力士以往生产HBM产品，包括HBM3E採由自身制程技术来制造Base Die，但从HBM4开始将打破逻辑制程与记忆体的界线，开始採用先进逻辑制程，换言之，未来在Base Die完成后，将交由SK海力士等记忆体制造DRAM堆叠制程，最后再交回台积电进行CoWoS先进封装技术。
SK集团表示，为了促进AI及半导体领域的全球合作，崔泰源从2023年底开始推动广泛合作，并传达了“一起开启有助于人类的AI时代基石”的资讯，并确保加强SK海力士和TSMC再HBM领域合作能达成共识。
