美光获得美国政府61亿美元补贴，并看好QLC SSD导入PC渗透率快速提升。李建樑摄

美国晶片法案补助陆续开奖，记忆体大厂美光（Micron）确定获得61.4亿美元直接补贴，以及75亿美元借贷额度，补助金额符合原先外界预期，加计美光于日本取得先进DRAM制程补助，美光在美、日两地将囊括超过77亿美元的补助入袋。

随著记忆体产业进入复甦反弹的成长周期，市场供需呈现吃紧下，美光不仅靠著庞大银弹补助支撑底气，亦助力美、日重拾先进半导体制造实力的战略目标，但资源重新分配下，恐将对台湾供应地位带来挑战。

作为美国本土唯一记忆体制造商，美光被外界视为美国晶片法案补助的最大赢家之一，虽然61亿美元补贴金额不如英特尔的85亿美元庞大，但以美光规划在2030年前将投入500亿美元的总资本支出，取得美国晶片法61亿美元补贴，其回报率丝毫不逊于台积电、英特尔（Intel）。

此外，美光在日本广岛厂新建先进DRAM生产线，继2022年确定获得约465亿日圆补助后，近期美光积极引进极紫外光（EUV）设备，日方传出可望再祭出上看1,920亿日圆（12.9亿美元）补贴，初估美光将取得日方16亿美元入袋。

然而地缘政治牵动全球半导体版图消长，业界认为，随著美、日两大国竞相投入巨资补助，作为美光全球DRAM产出比重达65%的台湾制造基地，长期供应地位恐将遭到稀释，如何应对全球政局带来资源转换的变革，将为台系供应链带来重大挑战。

另一方面，看好AI热潮带动巨量资料储存的需求，美光估计，目前QLC NAND SSD导入PC渗透率约20~25%，2024年将可望加速成长推动，AI PC的2大使用关键将带动SSD搭载容量快速提升，朝向TB等级需求迈进。

美光副总裁暨客户端储存事业部总经理Prasad Alluri表示，美光过去已连续二代推出最高NAND层数的用户端 QLC SSD，目前也是全球推出首款整合200层以上QLC NAND的用户端SSD，从渗透率表现来看，目前PC OEM採用QLC的比重约20~25%。

但这并不是QLC NAND性能不佳，而是过去没有太多供应商的选择，随著目前更多竞争对手也推出相关产品，预期2024年将可望看到渗透率显著提升，PC OEM客户将会提升渗透率导入，进入加速成长。

目前美光的2500 NVMe SSD 已向PC OEM制造商进行送样，採用232层QLC NAND，不仅整合至部份美光旗下品牌Crucial的消费型SSD产品中，Crucial也已正式量产并向企业储存装置客户出货 QLC SSD。

随高速运算、边缘AI应用的快速发展，记忆体储存领域需求亦与日俱增，Alluri指出，高频宽 低耗能是业界关注的焦点，也是储存装置发展的关键，PC终端不仅运作大型语言模型，也会有小型模型需要储存在装置内，因此储存需求必须要高度的能源效率，AI PC对于储存需求正是美光聚焦发展的重点。

根据微软对AI PC的规格看法，储存装置的最低容量是256GB，这是为了AI应用所需，这意味著容量起点已经提高了，而目前PC平均储存容量约在500GB出头，Alluri认为，两大因素将促进AI PC容量提升。

首先是LLM和影像语言模型，将耗费大量储存容量，其次，由于使用者不会立即删除大量影像，将导致本机储存的容量也会显著，因此AI PC的储存容量将可望从500GB起跳，进入1TB等级。

随著各家NAND大厂的3D NAND堆叠层数均超过200层，为了持续提高密度及降低成本，QLC NAND发展成为趋势。

业界指出，从三星电子（Samsung Electronics）、SK海力士旗下Solidigm、铠侠（Kioxia）、长江存储等各家NAND大厂均已积极投入QLC NAND，推动QLC应用从消费级市场，进一步推广至企业储存SSD市场，未来可望推广于手机客户和更多应用领域。

比起多数原厂，美光投入QLC NAND开发较早，目前232层QLC NAND将针对行动、用户端、边缘和资料中心储存装置等4大领域，强调具有领先的位元密度，较竞争对手的最新产品高出28%，领先业界的2400 MT/s NAND介面数据传输速度，相较前一代产品提高50%，且读取效能也较前一代产品提升24%。

Pure Storage超大规模事业部总经理Bill Cerreta表示，计画在2028年之前更换资料中心的所有传统硬碟HDD，而美光232层QLC NAND将是关键推动的因素。

业界指出，AI伺服器对于电力消耗庞大，SSD节能优势将成为储存装置的优先考量，加上HDD具有高延时问题，将导致性能降低20%，等于浪费CPU和DRAM性能，相当于对整体成本影响，市场预期，2024年QLC NAND应用于SSD位元出货将呈现大幅倍增成长。