根据彭博社报道，三星电子有望在美国获得超过 60 亿美元（备注：当前约 432 亿元人民币）的《CHIP》法案补贴。

图源：三星电子

三星电子目前已经在美国得克萨斯州建设一座新工厂，此前规划将于今年 7 月份开始生产 4 纳米产品，不过最新消息称投产时间可能会推迟到 2025 年。

三星预计在几十年内在得克萨斯州建设 11 家芯片生产厂，同时发展奥斯汀现有的一个综合体。

彭博社报道，三星目前已经和美国相关部门达成了初步协议，有望获得的 60 亿美元补贴并不仅限于得克萨斯州工厂项目，但目前尚未明确补贴的具体用途。

根据此前消息，英特尔获得了 100 亿美元的补贴，台积电获得了 50 亿美元的补贴，Global Foundries（格芯）获得 15 亿美元补贴，而三星电子如果再获得 60 亿美元的补贴，那么留给其它厂商的补贴就非常少了。

美国计划在先进光刻技术上投入 280 亿美元，仅上述 4 个项目就需要 225 亿美元了。

美国当局准备以偿还方式再拨款 750 亿美元，但三星公司已秘密表明，它对这方面的贷款和预付款不感兴趣。据知情人士透露，美国官员应在下周决定对英特尔的补贴规模，其他公司可能会在下周获得批准。