众所周知，目前在普通的硅芯片上，较先进的工艺采用的都是12寸晶圆，只有一些非常成熟的芯片，才使用8寸、6寸、4寸晶圆。

可以说，芯片工艺越先进，硅晶圆尺寸越大，因为这样浪费少，成本低。但硅晶圆尺寸越大，难度就越大，技术要求就越高。

不过，虽然普通的硅基晶圆已经发展到了12寸，但一些特殊材料的晶圆，目前很多还在4寸、6寸、8寸的阶段。

比如薄膜铌酸锂晶圆，目前半导体材料强国日本，以及美国，其实现的技术水平，也就处于6寸的水平。

薄膜铌酸锂晶圆是什么晶圆？它其实是光电芯片的材料之一，集成光电收发功能，在滤波器、光通讯、量子通信、航空航天等领域，有重要作用。

但铌酸锂材料脆性大，大尺寸制备非常困难，所以日本、美国才只有6寸水平，行业内一直在研究8寸晶圆的制备水平，看谁领先。

而近日，全球首片8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆在湖北下线，说明中国在这项技术上更领先了。

此项成果使用8寸SOI硅光晶圆键合8寸铌酸锂晶圆，为目前全球硅基化合物光电集成最先进技术，按照说法，接下来会很快实现产业商用。

最近几年来，随着5G、大数据、AI等的发展，光电芯片得到了极大的关注，而铌酸锂因为其材料特性被认为是最理想的光子集成材料。

所以这次中国全球量产8寸铌酸锂晶圆，也意味着接下来，中国有望基于薄膜铌酸锂的大规模光电集成技术，引领行业变革。在光量子计算、大数据中心、人工智能及光传感激光雷达等领域彰显其应用价值。

当然，目前8寸铌酸锂晶圆还只是从实验室下线，接下来要大规模量产，还需要一点时间，我们还需要谨慎乐观。但同时这件事背后，这也意味着，只要我们努力，在芯片产业上，一定会有各个点层面的的技术突破，而这些新的突破，会以点带面，形成一个整体，最终助力中国芯片产业腾飞，你觉得呢？