MOS晶体管有很多种，N沟MOS晶体管是其中常见的一种，NMOS是在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上，制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极D和源极S。 然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，在漏—源极间的绝缘层上再装上一个铝电极，作为栅极G。 在衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。 MOS管通常具有很好的开关特性，被广泛应用在开关电源、马达驱动、LED照明等应用里面。本期，合科泰给大家讲解一款N沟道MOS管AO3416的特点和应用。

AO3416的特性

AO3416是一种N沟道增强型场效应晶体管，它由源极、漏极和栅极构成，具有低导通内阻、低静态功耗和高开关速度等特点。合科泰生产的AO3416具有优良的产品特性，它的漏源电压20V，栅源电压±8V，连续漏极电流6.5A，漏源导通电阻0.022Ω，最小栅极阀值电压0.4V，最大栅极阀值电压1.1V，耗散功率1400 mW，整机重量约0.008克。

AO3416采用SOT-23封装，SOT-23封装是贴片MOS管中最常见的封装类型之一，它是一种小型封装，具有体积小、重量轻、耐高温等特点。由于其尺寸较小,因此适用于空间有限电路应用。

AO3416能在低电压下工作，特别适用于低电压和中等电流应用领域的模块电路设计，包括电源管理、照明模块和各类便携式设备等。

栅极电荷测试电路及波形

R阻性开关测试电路及波形

二极管恢复测试电路及波形

AO3416的应用

正是由于AO3416产品具有上述产品特性，AO3416可用于电源、BMS、无线通讯系统、汽车电子、LED照明等领域，客户可根据自己具体的应用场景和电路特点，综合考虑MOS的特性与匹配程度，选择适合的分立器件，满足实际需求。

上图为AO3416 NMOS管在一键开关机电路中的实际应用案例，这个管子在电路中起到开关控制电路的作用。成功地利用了该管子的高开关速度和低导通内阻特性。是小信号MOS管控制电路的非常典型的案例。

合科泰生产的AO3416产品具有稳定、高效率特点，如果您对合科泰这款AO3416感兴趣，可以向公司申请样品测试、打样，期待与您的合作。