近日，广东合科泰实业有限公司成功获得国家“高新技术企业”认定，充分体现了合科泰在半导体领域的专业实力和创新能力，对公司具有非常重要的意义。

三极管主要具有电流放大作用，它是电子电路的核心元件，三极管排列方式有PNP和NPN两种。本期，合科泰给大家推荐一款常用的采用TO-126封装的NPN沟道三极管2SC2688，可用于电视机、功率放大器、功率开关等领域。

三极管应用包括功率放大电路、电源电路、振荡电路和脉冲数字电路等。不同的三极管用途也不一样，选择最合适的三极管是做好电路设计的重要因素之一。三极管应用包括功率放大电路、电源电路、振荡电路和脉冲数字电路等。不同的三极管用途也不一样，选择最合适的三极管是做好电路设计的重要因素之一。

数字晶体管是带电阻的晶体管，有的在基极上串联一只电阻R1，有的在基极与发射极之间还并联一只电阻R2，电阻R1与电阻R2可按多种方式搭配。本期，合科泰给大家介绍一款采用SOT-23封装的数字晶体管MMUN2214，可用于作为了一种集成了基极电阻的双极性晶体管，它的主要作用有开关和信号放大等。数字晶体管可以被用作高频开关、控制模拟信号开关、数码信号变换开关、音视频信号开关等领域。

二极管在电子电路中的应用是非常广泛的，作为一种导通电压降较低、允许高速切换的二极管。肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。

MOS管作为一种常用的分立器件产品，它主要作用是把输入电压的变化转化为输出电流的变化。它由源极、漏极、栅极组成，由于衬底的掺杂不同可分为N沟道和P沟道场效应管。它主要是通过控制栅极的电压来控制源极和漏极之间的电流，从而实现开关功能。

PMOS是指N型衬底、P沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管，因为PMOS是N型硅衬底，多数载流子是电子，少数载流子是空穴，源漏区的掺杂类型是P型，所以PMOS的工作条件是在栅上相对于源极施加负电压，而在衬底感应的是可运动的正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层。当达到强反型时，在相对于源端为负的漏源电压的作用下，源端的正电荷空穴经过导通的P型沟道到达漏端，形成从源到漏的源漏电流。VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。本期，合科泰给大家介绍一款P沟道MOS管IRLML6402，它在稳压器、开关电路、电源、电压调节、智能血压计、智能家电等上面有着广泛的应用。

2024年3月6日至8日，2024年印尼雅加达电子元器件展览会将在印度尼西亚雅加达会议中心举行。合科泰作为专业的分立器件制造商，受邀参加本次展会，其展位位于电子展区D1馆D1G2-01。印尼雅加达电子元器件展览会是印尼电子元器件行业最重要的展会之一，该展会受到政府的大力支持。

作为一种非常常见的交通工具，电动两轮车广泛行走于城市的角角落落。电动两轮车又叫电动自行车，这是一种采用电池作为辅助能源的车子，它比传统的摩托车更环保、节能。电动两轮车在城市出行、快递、外卖等领域得到了广泛应用，具有便捷、经济、环保等优点。

高压功率MOS管是电子设备中非常重要的元件之一，它通常具有高电压、大电流、高频率和高效率等特点，广泛用于高电压和大功率等场合。在高压功率MOS管的应用中，不同的耐压值会对应不同的反应速度，高压MOS管的产品性能与其应用场景息息相关。本期，合科泰给大家推荐一款常用的高压MOS管HKTD4N65，它被客户广泛应用于电源、快充、逆变器和电池保护等领域。

2024年1月26日，由合科泰集团研发设计的“线性锂离子电池充电管理芯片”荣获国家发明专利，并颁发证书。本专利是我司倡导技术创新和技术革新的有效实践，不仅体现了合科泰在芯片领域的创新能力，更彰显了我司的强大研发实力和技术创新水平。该专利的获得对于合科泰保持行业技术领先优势，提升公司核心竞争力以及提高公司品牌知名度等都具有非常重要的意义。

分立器件是相对于集成电路而言的，它们有共同之处，都是晶圆做的，但是也有很多不同。所谓分立器件就是指由单个电子器件组成的电路元件，即单个二极管、场效应管、三极管、桥堆等等这种，集成电路是多个电子器件组成的电路。由于分立器件是单个器件，它可承受较高的电流和电压，成本相对集成电路较低，可靠性非常高，可以根据工程师需求进行选型和组合，灵活性高。分立器件产品体积小，结构简单，易于大规模生产，速度快等。