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三星KLMBG4GEUF-B04Q闪存芯片 移动存储领域的高性能产品，可用于开发超薄移动设备。32GB 1.8 ~3.3 V -40 ~ 105 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口
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三星KLM8G1GEUF-B04Q闪存芯片 移动存储领域的高性能产品，可用于开发超薄移动设备。8GB 1.8 ~3.3 V -40 ~ 105 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口
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三星KLM8G1GEUF-B04P闪存芯片 移动存储领域的高性能产品，可用于开发超薄移动设备。8GB 1.8 ~3.3 V -40 ~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口
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三星KLM4G1FETE-B041闪存芯片 移动存储领域的高性能产品，可用于开发超薄移动设备。4GB 1.8 ~3.3 V -25 ~ 85 °C 尺寸11 x 10 x 0.8 mm HS400接口
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三星KLMDG4UCTB-B041 移动存储领域的高性能产品，可用于开发超薄移动设备。HS400接口 128GB 1.8 ~3.3 V -25 ~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm
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三星KLMCG2UCTB-B041闪存芯片 移动存储领域的高性能产品，可用于开发超薄移动设备。HS400接口 64GB 1.8 ~3.3 V -25 ~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm
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三星M474A2K43BB1-CTD 带错误检查和纠正的小型无缓存双列直插式内存模块 16 GB 2R x8 LPDDR4 2666Mbps 1.2 V 260FBGA
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三星M474A2K43BB1-CRC 带错误检查和纠正的小型无缓存双列直插式内存模块 16 GB 2R x8 LPDDR4 2400Mbps 1.2 V 260FBGA
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三星M474A1G43DB1-CRC 带错误检查和纠正的小型无缓存双列直插式内存模块 8 GB 2R x8 LPDDR4 2400Mbps 1.2 V 260FBGA
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三星M474A1G43DB0-CPB 带错误检查和纠正的小型无缓存双列直插式内存模块 8 GB 2R x8 LPDDR4 2133Mbps 1.2 V 260FBGA
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三星M393B2G70EB0-YMA 带存储器的双列直插式存储模块 包括用于优化时钟、命令和控制信号的寄存器16 GB 2R x4 LPDDR4 1866Mbps 1.2 V 240FBGA
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三星M393B2G70EB0-YK0 带存储器的双列直插式存储模块 包括用于优化时钟、命令和控制信号的寄存器16 GB 2R x4 LPDDR4 1600Mbps 1.2 V 240FBGA
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