原理

高压MOSFET管通过栅极与源极之间的电场控制漏极与源极之间的电流，实现高效功率开关功能。其核心原理在于栅极电压的变化会改变沟道中的电子分布，从而控制电流的通断。当栅极施加正电压时，MOSFET进入导通状态，电流从漏极流向源极；而当栅极电压为零或负电压时，MOSFET进入截止状态，阻断电流流动。这种特性使得高压MOSFET管成为电源、逆变器和电机驱动等应用中的关键器件。  

产品特性

合科泰推出的7N60（600V耐压）和7N65（650V耐压）高压MOSFET管性能卓越，兼具高耐压、低导通电阻和高效散热等优势。它们具备出色的高电流承载能力和快速开关特性，特别适用于高频逆变器、工业电源和电机驱动等应用。其电学特性表现优异，包括：

• 漏源电压（VDSS）：600V（7N60） / 650V（7N65）；

• 连续漏极电流（ID）：7A，支持大电流负载；

• 导通电阻（RDS(on)）：低至1.08Ω（7N65），显著降低导通损耗；

• 栅极阈值电压（VGS(th)）：2-4V，兼容低压驱动电路。

7N60/7N65产品采用TO-252封装，这是一种高效、紧凑的表面贴装形式。TO-252封装的产品具有小尺寸、高稳定性和优异散热性能，特别适合在空间有限的电路中使用。TO-252封装的高压MOSFET管具有非常好的高频特性，如低寄生电容、低开关损耗和低热阻等。产品设计紧凑，散热优良，适用于高频、高功率的应用场景。

TO-252封装7N60/7N65推荐

7N60/7N65具有出色的稳定性和高效的工作性能，应用范围广泛。在电源适配器、工业电源模块、光伏逆变器、电机驱动器、车载充电器（OBC）等产品中，均可见到它们的身影。它们可以与电阻、电容、电感等元器件合理搭配，构成不同功能的电路，实现对电源的高效开关控制、对电机的精准驱动以及对能量的高效转换。 

总之，7N60/7N65高压MOSFET管以其高耐压、低损耗、高效散热等特性，成为工业与新能源领域的可靠选择。无论是工业电源、新能源设备还是智能控制系统，它们都能提供稳定可靠的性能支持，助力客户实现高效、节能的解决方案。